Silicon Photonic Devices
Optimize device design and analyze internal physical mechanisms to improve the performance and efficiency of silicon optoelectronic devices.
Macondo

使用Macondo软件仿真设计阵列波导光栅(AWG)

   随着信息技术的飞速发展,光通信网络在高速数据传输中的作用日益重要。为了利用现有光通信网络的宽带资源,发展波分复用(Wavelength Division Multiplexing, WDM),尤其是密集波分复用(Dense Wavelength Division Multiplexing, DWDM)技术,对于光通信网络的升级和超高速通信的支持具有重要意义。在WDM和DWDM系统中,AWG(Arrayed Waveguide Grating)是最具代表性的复用/解复用器件,其性能直接决定了系统的传输质量[1]^{[1]}。本文主要讲解了AWG的原理和参数设计,并在Macondo软件中对AWG的输入部分进行设计和仿真。

一、AWG设计原理

AWG结构图
图 1:AWG结构图[2]

   AWG是基于干涉原理的波分复用/解复用器件,它是由输入/输出波导阵列(transmitter waveguide)、自由传输区(FPR)、平板波导(plane waveguide)和弯曲阵列波导(curved array waveguide)5个部分组成,如图1所示。自由空间耦合区具有傅里叶转换透镜的作用,通过阵列波导光栅区引入相位差,实现不同波长信号的复用与解复用。信号从输入波导其中的一个输入,在输入平板波导区模式场发散,由阵列波导的输入孔阑捕捉。阵列波导相邻波导间的长度差 ΔL\Delta L 为一常数,不同波长的输入信号引入不同的相位差。随后,光场在输出平板波导区衍射汇聚,不同波长的信号聚焦在像平面的不同位置,通过合理的设计输出波导端口的位置实现信号的输出。

   相邻两弯曲阵列波导具有恒定的长度差ΔL\Delta L,起衍射光栅的作用,相邻波导的长度满足解耦合条件。阵列波导光栅应该满足光栅方程:
nsdsinθi+nsdsinθo+ncΔL=mλ0(1)n_s d \sin \theta_i + n_s d \sin \theta_o + n_c \Delta L = m \lambda_0\tag{1}式中,θiθo\theta_i、\theta_o 分别为阵列波导对中心输入/输出波导的夹角;nsncn_s、n_c 分别为平板波导、阵列波导的有效折射率;dd 为阵列波导的间距;mm 为衍射级数;λλ 为入射波长;ΔL\Delta L 为相邻两个阵列波导的长度差。对于中心输入、输出的波导,应该满足下列关系:
ncΔL=mλ0(2)n_c \Delta L = m \lambda_0\tag{2}   可以看出,当衍射角为零时仍可得到高的衍射级数,这一点不同于普通的平面衍射光栅。在光栅中高的衍射级数可提高光栅的分辨率。

   当阵列波导相对于中心输出波导的夹角θo\theta_o很小时,sinθoθo\sin\theta _o \approx \theta_o,由式(1)可得出 AWG 的角色散关系,即衍射角同波长的关系为:

dθdλ=mnsdngnc(3)\frac{d\theta}{d\lambda} = \frac{m}{n_s d} \cdot \frac{n_g}{n_c }\tag{3}

式中,ng=ncλ0dncdλn_g = n_c - \lambda_0 \cdot \frac{d n_c}{d\lambda} 为群折射率。

   在普通的平面衍射光栅中,角色散关系为:

dθdλ=mnsd1cosθ(4)\frac{d\theta}{d\lambda} = \frac{m}{n_s d} \cdot \frac{1}{\cos\theta}\tag{4}

   将式(3)同式(4)进行比较可以看出,在高衍射级数情况下,AWG 中不同波长的衍射影响光峰更易分开。事实上,AWG 是通过阵列波导将平面衍射光栅的相位差增大的改进型光栅,从而命名为阵列波导光栅,其核心在于引入了0角度下的相位差,其发明人 Mr. Smit 将这种器件称为相位器(phaser)。

在设计器件时,可以根据 AWG 的角色散关系来确定通道间隔 Δλ\Delta \lambda

Δλ=Δθ(dθdλ)1=Δx0Rnsdmncng(5)\Delta \lambda = \Delta \theta \cdot \left(\frac{d\theta}{d\lambda}\right)^{-1} = \frac{\Delta x_0}{R} \cdot \frac{n_s d}{m}\cdot \frac{n_c}{n_g}\tag{5}

   可以看出, Δλ\Delta \lambda 反比于 RmR·m 的乘积,与输出波导间距Δxo\Delta x_o、阵列波导间距 dd 成正比。

二、AWG基本参数

   通过设计AWG的物理参数:衍射级数mm、罗兰圆聚焦长度RR、相邻阵列波导的长度差ΔL\Delta L、波导的折射率差Δn\Delta n、单模波导宽度ww和高度hh、平板波导和阵列波导的有效折射率nsn_sncn_c、输入/输出波导的解耦合距离Δxi\Delta x_iΔxo\Delta x_o、阵列波导的间距dd、阵列波导数2j+12j+1、波导的最小弯曲半径,我们可以得到一个性能良好的AWG。

   设计 AWG 时,先确定基本的参数,包括通道数 NN,中心波长 λ0λ_0 或频率 fcf_c,信道间隔 Δλ\DeltaλΔfch\Delta f_{\text{ch}},自由波段区 FSR 等。进一步优化参数时则要考虑插入损耗、通道非均匀性 Lu、串扰 CT (crosstalk)、偏振相关波长 PDW (polarization depended wavelength)、偏振相关损耗 PDL (polarization depended loss)。基本参数的设置规则如下:

  1. 波导的宽度 ww,高度 hh,平板波导和阵列波导的有效折射率nsn_sncn_c

    如果确定了波导包层及芯层材料,在单模条件下,就确定了波导的宽度 w,高度 h,平板波导和阵列波导的有效折射率nsn_sncn_c。如果波导的折射率差越小,单模波导尺寸就越大,相应的波导单位长度损耗较小。对于弯曲波导来说,弯曲半径大时的损耗就较小,但会增加器件的整体尺寸。为实现小尺寸紧凑型 AWG,可采用折射率差较大的波导,但小尺寸会增加损耗。

  2. 输入/输出波导解耦合距离Δxi\Delta x_iΔxo\Delta x_o 和阵列波导的间距dd

    Δxi\Delta x_iΔxo\Delta x_o 是 AWG 的输入和输出波导的解耦合距离,dd 是阵列波导的间距,在可能降低相邻波导串扰的前提下,设计出最小Δxi\Delta x_iΔxo\Delta x_odd。对称称 AWG 中,这三者相等。串扰 CT 与波导间距离的关系为:

    CT=10logPover(6)C_T = 10 \cdot \log P_{over}\tag{6}

    式中,PoverP_{over} 为串扰功率,表示因波导间耦合、相互干扰或旁路信号等因素,导致的干扰信号的功率,表达式如下:

    Pover(Δxi,Δxo,d)={0.5(E1×H2d+E2×H1)dA}2(E1×H1p)dA(E2×H2)dA(7)P_{\text{over}}(\Delta x_i, \Delta x_o, d) = \frac{\left\{ 0.5 \int \left( E_1^* \times H_2^d + E_2 \times H_1^* \right) dA \right\}^2}{\int \left( E_1 \times H_1^p\right) dA \int \left( E_2 \times H_2^*\right) dA}\tag{7} E2(x,d)=E1(x+Δxi,Δxo,d),H2(x,d)=H1(x+Δxi,Δxo,d)(8)E_2(x, d) = E_1(x + \Delta x_i, \Delta x_o, d), \quad H_2(x, d) = H_1(x + \Delta x_i, \Delta x_o, d) \tag{8}

    式中,波导中场E1,H1,E2,H2E_1, H_1, E_2, H_2 分别为两相邻波导的电场和磁场强度,可以近似取高斯分布。相关波导间串扰随波导间间距增大呈指数衰减,低折射率差的二氧化硅波导间解耦合的距离为20μm20μm,SOI 波导中解耦的距离可小到 1.5μm1.5μm,大的波导间距可减小串扰,且会使器件的整体尺寸增加,需要在串扰和器件尺寸间进行折中考虑。

  3. 罗兰圆直径RR,衍射级数 mm和阵列波导长度差 ΔL\Delta L

    RR, mmλ0λ_0 是相互关联的三个量,由通道数NN、通道间隔 Δλ\Delta λ、中心波长λ0λ_0, nsn_s, ncn_c, Δxo\Delta x_odd 这q七个参数共同决定,在设计时一般先确定 RRmm 中的一个,然后确定另两个量。由式(5)知,RRmm 值不是唯一的,只要二者的乘积满足(5)即可。对不同的设计其值 R 和 m 的标准和先后不同。

  4. 阵列波导数 Na(Na=2j+1)N_a (N_a=2j+1)

阵列波导数 NaN_a 的确定考虑两方面因素:一方面,在阵列波导的输入端能够收集从输入平板波导衍射出的足够能量;另一方面,阵列波导输出端的阵列数目足够大,以致输出谱的旁瓣得到有效抑制,降低串扰。 一般选取阵列波导收集功率为输出率的1/e1/e,阵列波导条数满足:
Na2θmaxRda+1=λ0Rπnsω0d(9)N_a \geq \frac{2 \theta_ \text{max} R}{d_a} +1= \frac{\lambda_0 \cdot R}{\pi n_s ω_0 d}\tag{9} 式中,θmaxθ_\text{max} 是阵列波导相对于中心输入波导的最大张角。

上述原则确定了AWG的基本参数后,就可以进行AWG的版图布局[1]^{[1]}

三、Macondo软件中的布局与仿真

   根据参考文献[3],模型的基本参数确定如下:

表 1:模型基本参数
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   AWG输入部分包含24个阵列波导,两个相切在一起的圆,一个多边形和一个输入波导,在Macondo中用脚本建立几何模型,并添加求解器,在每一个输出波导位置添加监控器,输入波导位置添加光源,得到的模型如图2所示,

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图 2:Macondo中AWG输入波导阵列、自由传播区和平板波导结构
完整的AWG模型如图3所示,
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图 3:Macondo中AWG完整结构

   光源从左侧输入,经过自由传播区传播到阵列波导中,在输出端输出时,不同波导的光发生了相位的变化,在输出部分的自由传播区发生干涉,不同波长的光聚焦到不同的波导中,从波导中输出。

   对输入部分进行仿真,得到波长为1.6μm时,波导中的场分布如图4所示,

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图 4:输入部分的场分布

   在每一个波导上添加T监控器,将得到的Transmission数据和相应的波长、波导绘图,得到图5所示的结果,

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图 5:每个波导中不同波长的光对应的强度
   正如预期的那样,在中心波导处获得了最大传输强度,但函数并不平滑。可以通过优化输入耦合器设计来改善这一点。
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图 6:总传输强度
   图6给出了通过对所有Narray波导的波长依赖性求和得到的总传输强度,该图反映了阵列波导光栅对不同波长的整体透过率和传输效果。

   图5可以直观的观察到各个波导中不同波长的传输强度。图6有助于分析AWG的波长选择性和其在1.5μm~1.6μm波长范围内的性能。

四、总结与展望

   本文通过 Macondo 软件对阵列波导光栅(AWG)进行了建模与仿真,介绍了其工作原理、设计参数及仿真结果。在当前的仿真中,我们主要关注了 AWG 的核心部分和阵列波导的传输特性。接下来,计划将焦点转向 AWG 的输出部分,进一步探讨输出波导与外部设备之间的连接及其对传输效率的影响。之后,我们将提取器件仿真参数,串联链路仿真软件,评估AWG在链路的整体性能。

五、参考文献

[1] 余金中.《硅光子学》.北京:科学出版社,2011.

[2] Meint K. Smit et al., “PHASAR-Based WDM-Devices: Principles, Design and Applications,” IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 2, 1996.

[3] Hongqiang Li et al., “Investigation of Ultrasmall 1×N AWG for SOI-Based AWG Demodulation Integration Microsystem”, IEEE Photonics Journal, 7, 2015.

[4] A. Abrardo and G. Cincotti, "Design of AWG Devices for All-Optical Time-Frequency Packing," in Journal of Lightwave Technology, vol. 32, no. 10, pp. 1951-1959, May15, 2014.